[发明专利]半导体存储装置

摘要

在包括滤波器和放大器等的模拟电路中，提供一种能修正制造工序中的加工离散引起的各元件的值的离散的模拟电路。滤波器FT1是将磁隧道电阻MR和电容器C连接成L型的低通滤波器。另外，在滤波器FT1中，端子T1及T2是输入端子，端子T3及T4是输出端子。另外，通过电流源IP供给改变磁隧道电阻MR的磁化方向的电流。

主权项

1.一种半导体存储装置，至少备有：模拟电路，该模拟电路有由多个磁隧道电阻元件构成、单独及或组合地使用上述多个磁隧道电阻元件，通过对每个单独者及/或组合者变更电阻值，获得多种电阻值的可变电阻部，利用多个控制信号，能对每个单独者及/或组合地变更上述多个磁隧道电阻元件的电阻值；输出上述多个控制信号的控制部；以及存储单元阵列，上述半导体存储装置是分时地分别使用地址端子的地址信号多路复用方式的半导体存储装置，其特征在于：上述控制部兼用上述存储单元阵列的地址译码器作为上述至少一个磁隧道电阻元件的电阻值控制用的译码器，上述地址译码器在上述至少一个磁隧道电阻元件的电阻值控制时，根据分时地供给上述地址端子的磁隧道电阻元件控制信号进行控制。