[发明专利]高结构低表面沉淀法二氧化硅及其制备方法无效
| 申请号： | 02156474.4 | 申请日： | 2002-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1418810A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 马慧斌;朱春雨;宁延生;徐世增;于萍;王惠玲;阎岩 | 申请（专利权）人： | 天津化工研究设计院 |
| 主分类号： | C01B33/154 | 分类号： | C01B33/154 |
| 代理公司： | 天津市鼎和有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300131 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于粉体材料技术领域。高结构低表面沉淀法二氧化硅及其制备方法，其产品指标结构指数SI＝100×DBP/BET为3.0－4.5；多点BET表面积为60－120米2/克；DBP吸油值为2.5－3.8厘米3/克；灼烧减量为3.0－4.0％；平均粒径D50小于15μ。制备过程(A)向水中并流加入总量6－35％碱金属硅酸盐和无机酸，制得二氧化硅溶胶，温度60－100℃，pH8－11；(B)老化10－60分钟，加入碱金属盐不超过0.25摩尔/升；(C)二步并流30－120分钟使全部硅酸盐反应完全，过量酸化至pH达到5.0；(D)维持温度老化10－30分钟；(E)分离，洗涤，形成滤饼；(F)干燥滤饼，制得二氧化硅。本发明制得的二氧化硅在较低的比表面积下，仍保有高度开放的结构。工艺方法操作简单、生产成本低，可大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 表面 沉淀 二氧化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.高结构低表面沉淀法二氧化硅，由沉淀法制得，其特征在于：结构指数SI＝100×DBP/BET为3.0-4.5；多点BET表面积为60-120米2/克；DBP吸油值为2.5-3.8厘米3/克；灼烧减量为3.0-4.0％；平均粒经D50小于15μ，其中粒径分布在5-10μ之间的粒子占全部粒子的40％以上。
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