[发明专利]采用SOI基板的磁存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 02156356.X | 申请日： | 2002-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1417803A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 浅尾吉昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁存储器，包括备有第1半导体层、在该第1半导体层上边形成的第1绝缘膜、和该第1绝缘膜上边形成的第2半导体层的SOI衬底；具有从上述第2半导体层表面到达上述第1绝缘膜的深度并在上述第2半导体层内选择地形成的元件隔离绝缘膜；在上述第2半导体层上形成的开关元件；与上述开关元件连接的磁阻效应元件；在上述磁阻效应元件下方，与上述磁阻效应元件分离地配置并在第1方向延伸的第1布线；以及在上述磁阻效应元件上边形成、且在与上述第1方向不同的第2方向延伸的第2布线。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 soi 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁存储器，包括：备有第1半导体层、该第1半导体层上边形成的第1绝缘膜、和该第1绝缘膜上边形成的第2半导体层的SOI衬底；具有从上述第2半导体层表面到达上述第1绝缘膜的深度并在上述第2半导体层内选择地形成的元件隔离绝缘膜；在上述第2半导体层上形成的开关元件；与上述开关元件连接的磁阻效应元件；在上述磁阻效应元件下方，与上述磁阻效应元件分离地配置的在第1方向延伸的第1布线；以及在上述磁阻效应元件上边形成的、且在与上述第1方向不同的第2方向延伸的第2布线。
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