[发明专利]掺钕钇铝石榴石和钇铝石榴石复合激光晶体的制备方法无效
| 申请号： | 02155050.6 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1424437A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 徐军;赵广军;刘军芳;宋海智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B19/02 | 分类号： | C30B19/02;C30B29/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺钕钇铝石榴石和纯钇铝石榴石复合激光晶体的制备方法，其特点是采用电阻加热液相外延炉，将晶面方向为(111)的Nd：YAG单晶衬底作大面积籽晶，在YAG单晶的结晶温度下，与含有YAG多晶料和助熔剂的饱和溶液接触的两个界面上生长等厚的YAG单晶。采用本方法制备的YAG/Nd：YAG/YAG复合激光晶体具有晶体完整性好、重复性好、没有明显的界面等优点，经切割、滚圆、加工、镀膜后，制成全固态连续激光器，激光器具有好的激光性能、低的激光阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕钇铝 石榴石 复合 激光 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺钕钇铝石榴石复合激光晶体的制备方法，其特征是采用电阻加热液相外延炉，将晶面方向为(111)的Nd:YAG单晶衬底作大面积籽晶，在YAG单晶的结晶温度下，与含有YAG多晶料和助熔剂的饱和溶液接触的两个界面上生长等厚的YAG单晶。
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