[发明专利]感应耦合等离子蚀刻机台及其电极结构无效
| 申请号: | 02153825.5 | 申请日: | 2002-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN1505112A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
| 发明(设计)人: | 李孝忠;林瑞烽;侯建州;戴嘉宏;赖宏裕 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
| 地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种感应耦合等离子蚀刻机台及其电极结构,此机台主要是由一反应室、一上电极以及一下电极所构成。其中,上电极配置于反应室中,此上电极由一线圈、一第一介电层、一第二介电层以及一加热器所构成,第一介电层配置于线圈上,且第二介电层配置于第一介电层上,而加热器配置于第一介电层与第二介电层之间。下电极配置于反应室中,此是下电极由一导体电极以及一第三介电层所构成,且第三介电层配置于导体电极上。通过上电极中的加热器进行加热以提高反应室内的温度,进而达到蚀刻生成物易于挥发的目的。 | ||
| 搜索关键词: | 感应 耦合 等离子 蚀刻 机台 及其 电极 结构 | ||
【主权项】:
1.一种感应耦合等离子蚀刻机台,其特征是,其包括:一反应室;一上电极,配置于该反应室中,该上电极包括一线圈、一第一介电层、一第二介电层以及一加热器,其中该第一介电层配置于该线圈上,且该第二介电层配置于该第一介电层上,而该加热器配置于该第一介电层与该第二介电层之间;一下电极,配置于该反应室中,该下电极包括一导体电极以及一第三介电层,其中该第三介电层配置于该导体电极上;以及多个控温装置,配置于该反应室中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





