[发明专利]能评价工艺性能的等离子体处理装置无效
申请号: | 02152815.2 | 申请日: | 2002-11-25 |
公开(公告)号: | CN1447398A | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 花崎稔;菅原庆一;野口利彦;米村俊雄;泷正和;津田睦;新谷贤治 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/205;C23F4/00;H05H1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 傅康,叶恺东 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 等离子体处理装置的高频电流检测器检测高频电源将在室内不发生等离子体的高频功率供给室时的高频电流,将该检测出的高频电流输出给计算机。计算机将从高频电流检测器接受的高频电流与成为基准的高频电流进行比较,当两个高频电流一致时,将等离子体处理装置的工艺性能评价为正常,当两个高频电流不一致时,将工艺性能评价为异常。其结果,能检测装置固有的高频特性,根据该检测出的高频特性来评价工艺性能。 | ||
搜索关键词: | 评价 工艺 性能 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于备有:发生等离子体用的室;将高频功率供给上述室的高频电源;以及在直至发生上述等离子体的高频功率的范围内检测上述室内的高频特性,根据该检测出的高频特性,评价上述室内的工艺性能的特性评价电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造