[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02151378.3 | 申请日： | 2002-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1447390A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 大桥英明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 栅极长度为110纳米±15纳米或更短(在设计规则中为130纳米或更短)，或者相邻的栅电极结构之间的区域的纵横比(栅电极结构的高度与栅电极结构之间的距离的比值)为6或更高。通过等离子体CVD(HDP－CVD)方法，在650℃或更低的薄膜形成温度上形成的包含导电杂质的PSG(HDP－PSG：磷酸硅玻璃)膜作为埋藏栅电极结构的层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体基底上形成至少一个栅电极结构，其中在半导体基底和栅电极结构之间有栅极绝缘膜，使得其栅极长度为110纳米或更短；并且通过高密度等离子体CVD方法在650℃或更低的薄膜形成温度上形成包含导电杂质的氧化硅膜，使得所述栅电极结构造成的表面水平差别得到减弱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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