[发明专利]薄膜磁性体存储器及其信息编程方法有效
| 申请号： | 02150470.9 | 申请日： | 2002-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1419242A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 程序装置(PU)具有电阻随磁化方向而变化的2个程序单元(PRC1及PRC2)。各程序单元在初始状态，即在非程序状态时被磁化成同一方向。在程序状态时，根据程序数据被选择一方的程序单元的磁化方向被从初始状态改写。由根据2个程序单元的电阻生成的2个程序信号(φa及φb)，能够读出1位程序数据和该程序装置(PU)是否存储了程序数据的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁性 存储器 及其 信息 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：具备各自用磁学方式进行数据存储的多个存储单元被配置成行列状的存储器阵列；上述各存储单元具有通过磁化成2个方向中的某一方向进行数据存储的磁存储部，进一步具备存储用于对上述多个存储单元的数据读出及数据写入中的至少一方的信息用的程序电路，上述程序电路包含各自将构成上述信息的程序数据存储在程序状态时的多个程序装置，各上述程序装置具有各自磁化成2个方向中的某一方向的2个程序单元，在各上述程序装置中，在上述程序状态时，上述2个程序单元中的一个程序单元被磁化成与非程序状态时不同的方向。
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