[发明专利]具有边角保护层的浅沟槽隔离区制造程序

摘要

本发明公开了一种具有边角保护层的浅沟槽隔离区制造程序，包括下列步骤：在半导体基底上依序形成垫绝缘层和掩膜层；形成开口以露出半导体基底；蚀刻开口内两侧的垫绝缘层，去除邻接开口的部分垫绝缘层；蚀刻掩膜层，去除开口两侧一预定宽度的掩膜层并于开口两侧形成一底切区域；形成位于开口内的该底切区域内及掩膜层侧壁上的保护层；蚀刻半导体基底，于半导体基底中形成沟槽；形成位于沟槽及开口内的浅沟槽隔离区；去除掩膜层，并去除掩膜层侧壁上的保护层；以及去除该垫绝缘层并留下底切区域的保护层，作为浅沟槽隔离区的边角保护层。

主权项

1.一种具有边角保护层的浅沟槽隔离区制造程序，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体基底上依序形成一垫绝缘层和一掩膜层；将该垫绝缘层和该掩膜层图案化并形成开口以露出该半导体基底；蚀刻该开口内两侧的该垫绝缘层，去除邻接该开口的部分垫绝缘层；蚀刻该掩膜层，去除该开口两侧一预定宽度的该掩膜层并于该开口两侧形成一底切区域；形成一位于该开口内的该底切区域内及该掩膜层侧壁上的保护层；以上述图案化的该掩膜层与该垫绝缘层以及该保护层为蚀刻掩膜，蚀刻该半导体基底，于该半导体基底中形成一沟槽；形成一位于该沟槽及该开口内的浅沟槽隔离区；去除该掩膜层，并去除掩膜层侧壁上的该保护层；以及去除该垫绝缘层并留下该底切区域的保护层，作为该浅沟槽隔离区的边角保护层。