[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 02150282.X | 申请日： | 2002-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1417852A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 野口纯司;滨田直秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立东京电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜15b，第二膜埋线L2的导电阻挡膜17a被保护着，以免被氧化，绝缘膜15b有一层SiON膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体CVD方法形成，由此，半导体器件的包含铜作为主要导体膜的布线之间的电介质击穿强度可以得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在沉积在晶片上的第一绝缘膜上形成布线开口；(b)在布线开口中形成布线，布线包括对铜扩散具有阻挡性能的第一导体膜和包含铜作为主要成分的第二导体膜；和(c)在第一绝缘膜和布线上沉积第二绝缘膜用于保护第一导体膜不被氧化，接着通过用一种含氧气体的化学汽相沉积方法，在第二绝缘膜上沉积第三绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
