[发明专利]源极/漏极元件的制造方法有效
| 申请号： | 02148888.6 | 申请日： | 2002-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1503334A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 毛惠民;陈升聪;陈逸男;姜伯青;萧智元 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/8232;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种源极/漏极元件的制造方法，步骤为：提供一基底，基底表面形成有一栅极结构及覆于其上的遮蔽层；在栅极结构侧壁依序形成一第一、一第二及一第三绝缘间隙壁；以遮蔽层及第三绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的基底表面以形成一第一掺杂区；去除第三绝缘间隙壁；以遮蔽层及第二绝缘间隙壁为罩幕，离子布植栅极结构两侧的基底表面以形成一第二掺杂区而作为源极/漏极区；去除第二绝缘间隙壁；以及以遮蔽层及第一绝缘间隙壁为罩幕，离子布植栅极结构两侧的基底表面以形成一第三掺杂区而作为一接面击穿防止区；本发明通过多层间隙壁作为离子布植的罩幕，在存储装置的周边电路区的积集度增加而线距缩小的情形下，仍能制作出轻掺杂区及接面击穿防止区，进而维持源极/漏极元件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种源极/漏极元件的制造方法，其特征是：包括下列步骤：提供一基底，上述基底表面形成有一栅极结构及覆于其上的遮蔽层；在上述栅极结构侧壁依序形成一第一、一第二及一第三绝缘间隙壁；以上述遮蔽层及上述第三绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的上述基底表面以形成一第一掺杂区；去除上述第三绝缘间隙壁；以上述遮蔽层及上述第二绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的上述基底表面以形成一第二掺杂区而作为源极/漏极区；去除上述第二绝缘间隙壁；以及以上述遮蔽层及上述第一绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的上述基底表面以形成一第三掺杂区而作为一接面击穿防止区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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