[发明专利]形成规格化晶体管组件的方法

摘要

本发明公开一种形成规格化晶体管组件的方法，其是在一半导体基底表面形成一栅极堆栈结构后，在栅极堆栈结构二侧形成屏蔽氧化层，并于半导体基底与栅极堆栈结构表面形成一硼硅玻璃层，再利用高温热制程将该硼硅玻璃层中的硼离子驱入该半导体基底内而形成浅离子掺杂区域，然后于栅极堆栈结构二形成侧壁间隙物结构，最后再以栅极堆栈结构与侧壁间隙物为屏蔽进行深离子布植，使其在该基底中形成深离子掺杂区域。因此，本发明是可防止离子因高温产生的横向扩散问题，以确保组件特性与电性品质。

主权项

1、一种形成规格化晶体管组件的方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体基底，其上形成具有栅氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构；在该栅极堆栈结构二侧形成一屏蔽氧化层；于该半导体基底与该栅极堆栈结构表面形成一硼硅玻璃层，并利用高温热制程，将该硼硅玻璃层中的硼离子驱入该半导体基底内，以形成浅离子掺杂区域；在该硼硅玻璃层表面且位于该栅极堆栈结构的二侧形成有侧壁间隙物，并去除多余的该硼硅玻璃层；及以该栅极堆栈结构、该硼硅玻璃层与侧壁间隙壁为屏蔽，进行一深离子掺杂步骤，使其在该半导体基底中形成一深离子掺杂区域，以作为源极与漏极。