[发明专利]介电层回蚀刻方法有效
| 申请号： | 02147064.2 | 申请日： | 2002-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1494118A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 孙玉琪;黄则尧 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介电层回蚀刻方法，适用于半导体元器件制造流程中，内层介电层(inter－layer dielectric；ILD)及金属层间介电层(inter－metaldielectric；IMD)的平坦化工序，可具体改善化学机械研磨后的介电层厚度不一致的问题，包括下列步骤：提供一半导体基底，具有多个元件或经图案化的金属导线；形成一介电层材料，均匀地覆盖于元件或金属导线上；利用反应性离子蚀刻技术(RIE)，以含有C5H8、CHF3与氩气(Ar)的蚀刻气体，回蚀刻(etch back)此介电层材料，并蚀刻停止于元件或金属导线上，以形成一厚度均匀的介电层于元件与金属导线间。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层回 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电层回蚀刻方法，可改善介电层厚度不均问题，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，具有多个元件分布于一元件疏区及一元件密区内；形成一介电层材料，均匀地覆盖于该元件疏区及该元件密区内的该多个元件上；利用反应性离子蚀刻技术，以含有C5H8与CHF3的蚀刻气体，回蚀刻该介电层材料，并蚀刻停止于该多个元件上，以形成一厚度均匀的该介电层于该元件疏区及该密区内的该多个元件间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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