[发明专利]多晶硅层的制作方法有效
| 申请号： | 02146581.9 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1492475A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 彭佳添 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多晶硅层的制作方法，包括下列步骤：(a)提供一衬底；(b)于衬底上形成一阻障层；(c)于阻障层上形成一具有低热传导系数的多孔材料层；(d)于多孔材料层上形成一非晶硅层；以及(e)进行一激光退火制作工艺。由于多孔材料层具有低热传导系数，故可以形成具有较大晶体尺寸的多晶硅层。此外，上述阻障层与多孔材料层之间例如可选择性地形成一应力缓冲层。由于多孔材料层具有低热传导系数，故可使得所成长出来的多晶硅层具有较大的晶体尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅层的制作方法，其特征在于：包括：提供一衬底；于该衬底上形成一阻障层；于该阻障层上形成一多孔材料层，其中该阻障层与该多孔材料层构成一缓冲层；于该多孔材料层上形成一非晶硅层；进行一激光退火制作工艺，以形成一多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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