[发明专利]湿蚀刻装置无效
| 申请号： | 02146138.4 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494115A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李瑞评;董萱盛;杜建男 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种湿蚀刻装置，它包含有储存槽、底板、供液装置及排气装置。具有四个侧壁面的储存槽是用以放置多数晶圆及蚀刻液，且两相对的第一及第二侧壁面内壁具有多数直条纹几何结构大体垂直储存槽底部；底板是设置于储存槽底部上方，具有多数贯穿孔；供液装置是设置于储存槽的底部下方，以通过贯穿孔将蚀刻液注入储存槽；排气装置是邻近设置于第三或第四侧壁面，以排出储存槽中的气体。邻近设置有排气装置的侧壁面的贯穿孔的尺寸小于相对于邻近设置有排气装置的侧壁面的贯穿孔的尺寸。通过在湿蚀刻装置的内侧壁制作条纹几何结构以及改变底板的贯穿孔的尺寸，来改变蚀刻液的流速，进而有效改善晶圆蚀刻均匀度及提高湿蚀刻制程的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
1、一种湿蚀刻装置，其特征是：它至少包含有储存槽及底板，用以放置多数晶圆及蚀刻液的该储存槽具有多数侧壁面，其中两相对的第一及第二侧壁面的内壁具有多数既定几何结构；该底板设置于该储存槽的底部上方，该底板具有多数贯穿孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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