[发明专利]形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法无效
| 申请号： | 02144500.1 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1427437A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朴永俊;韩仁泽 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物；在合成叠层上形成用于浮置结构的目标材料层；在合成叠层上形成孔，反应气体通过该孔供给；通过该孔供应反应气体，使得该目标材料层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔去除副产物，使得目标材料层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 衬底 结构 浮置栅 电极 发射 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将预定的叠层结构形成为浮置结构的方法，该叠层结构形成在衬底上，该方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以与预定反应气体反应而产生导致体积膨胀的副产物；在合成叠层上形成用于浮置结构的目标材料层；在合成叠层上形成孔，反应气体通过该孔供给；通过该孔供应反应气体，使得该目标材料层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔去除副产物，使得目标材料层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。
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