[发明专利]半导体装置

摘要

在半导体衬底(1)的表面形成杂质区(2)，在半导体衬底上设置绝缘层(3)，使其覆盖杂质区(2)。在绝缘层(3)的表面上设置成为布线层的沟槽(5)。在绝缘层(3)中，设置连接沟槽(5)与杂质区(2)的连接孔(4)。在连接孔(4)内，埋入用高熔点金属或其化物形成的导电层(6)。在沟槽(5)内形成铜布线(8)，使其连接到导电层(6)上。如果依据本发明，则可以得到能够实现良好的布线电路，能够提供高集成的半导体电路那样改进了的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于：具备半导体衬底1；在上述半导体衬底1的表面形成的杂质区2；在上述半导体衬底1上设置的绝缘层3，用来覆盖上述杂质区2；在上述绝缘层3的表面设置的作为布线层的沟槽5；在上述绝缘层3中设置的连接上述沟槽5和上述杂质区2的连接孔4；用被埋入上述连接孔4内的高熔点金属和/或其化合物形成的导电层6；在上述沟槽5内形成为对上述导电层6进行电连接的布线层8。