[发明专利]用于低K绝缘材料的沟槽刻蚀工艺无效
| 申请号： | 02144243.6 | 申请日： | 2002-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1458674A | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李思义;S·M·礼萨·萨贾迪;戴维·R·皮尔科勒;斯蒂芬·拉西希;肖恩·康;维纳伊·波拉伊;彼得·奇里格利诺 | 申请（专利权）人： | 蓝姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/312;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王敬波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在绝缘层内形成沟槽的方法，包括：首先，在绝缘层内刻蚀通孔。在刻蚀通孔之后，用有机栓塞填充一部分通孔。在从通孔刻蚀所希望量的有机栓塞之后，利用第一气体混合物将沟槽刻蚀到第一深度，并用第二气体混合物进一步刻蚀沟槽到最后所希望的沟槽深度。优选，该方法用于没有中间刻蚀停止层的低K绝缘材料。另外，优选第一气体混合物是聚合气体混合物，第二气体混合物是非聚合气体混合物。采用这种方法的结果是，形成用于没有中间刻蚀停止层的低K绝缘材料的互连结构，该互连结构具有沟槽和通孔，沟槽的边缘基本上是垂直的，通孔的边缘基本上是垂直的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘材料 沟槽 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种在绝缘层中形成沟槽的方法，包括：第一，在所述绝缘层内刻蚀通孔，所述通孔具有第一深度；第二，在所述通孔内淀积有机栓塞层；第三，利用第一气体混合物将沟槽刻蚀到第二深度，所述第二深度小于所述第一深度；和第四，利用第二气体混合物进一步刻蚀所述沟槽到第三深度，所述第三深度大于所述第二深度并小于所述第一深度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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