[发明专利]微细图形检查装置和方法、CD－SEM的管理装置和方法无效
| 申请号： | 02143912.5 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1411047A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 池田隆洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微细图形检查装置，具备第1运算单元，用来接受向在与要形成被检查图形的基板同一基板上边以不同的断面形状形成的多个测试图形照射电子束得到的第1个2次电子信号的数据，和上述测试图形的断面的轮廓形状数据，把上述第1个2次电子信号变数分离成把上述断面的轮廓形状包括在自变数内的第1函数，和根据每个构成上述测试图形的材质用阶跃函数定义的第2函数，和表示信号的失真的大小的第3函数；存储单元，具有存放由该第1运算单元得到的上述第1到第3函数的第1存储区域；第2运算单元，用来接受向上述被检查图形照射上述电子束得到的第2个2次电子信号，执行用存放在上述存储单元中的上述第1到第3函数从上述第2个电子信号中调出以上述被检查图形的断面形状为基础的成分的运算。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 图形 检查 装置 方法 cd sem 管理 | ||
【主权项】：
1.一种微细图形检查装置，具备：第1运算单元，用来接受向在与要形成被检查图形的基板同一基板上边以不同的断面形状形成的多个测试图形照射电子束得到的第1个2次电子信号的数据，和上述测试图形的断面的轮廓形状数据，把上述第1个2次电子信号变数分离成把上述断面的轮廓形状包括在自变数内的第1函数，和根据每个构成上述测试图形的材质用阶跃函数定义的第2函数，和表示信号的失真的大小的第3函数；存储单元，具有存放由该第1运算单元得到的上述第1到第3函数的第1存储区域；第2运算单元，用来接受向上述被检查图形照射上述电子束得到的第2个2次电子信号，执行用存放在上述存储单元中的上述第1到第3函数从上述第2个电子信号中调出以上述被检查图形的断面形状为基础的成分的运算。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
