[发明专利]具有双隧道结存储单元的存储器件无效
申请号: | 02142968.5 | 申请日: | 2002-09-13 |
公开(公告)号: | CN1409397A | 公开(公告)日: | 2003-04-09 |
发明(设计)人: | L·T·特兰;H·李 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明,梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种存储器件(10)包括具有串联的两个隧道结(134、234、136、236)的存储单元(130、230)。为了给被选存储单元(130、230)编程,被选存储单元(130、230)中的第一隧道结(134、234)被击穿。击穿第一隧道结(134、234)使第一隧道结(134、234)短路,并使被选存储单元(130)的电阻从第一状态改变到第二状态。电阻的改变可以通过读操作检测。第二隧道结(136、236)具有不同于第一隧道结(134、234)的抗熔丝特性,并且不被写操作短路。因此在第一隧道结(134、234)被击穿之后,第二隧道结(136、236)可提供对存储单元的隔离功能。 | ||
搜索关键词: | 具有 隧道 结存 单元 存储 器件 | ||
【主权项】:
1、一种存储单元(130、230),包括:第一隧道结(134、234);和与第一隧道结(134、234)串联的第二隧道结(136、236),其中第一隧道结(134、234)可从第一电阻状态改变到第二电阻状态,并且第一隧道结(134、234)具有不同于第二隧道结(136、236)的抗熔丝特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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