[发明专利]形成高频IC导线与电感线圈组件的方法无效
| 申请号： | 02142940.5 | 申请日： | 2002-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1484292A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 高荣正 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成高频IC导线与电感线圈组件的方法，其是在一基底表面完成各种组件的制作后，于基底表面形成一图案化光阻，接着利用物理沉积的方法，在基底与光阻上形成一铜薄膜，由于光阻上的铜薄膜与基底表面的铜薄膜并未相连接，因此经光阻浮离的步骤后，即可在基底表面的组件区形成良好的铜导线结构，藉此确保半导体组件间完整的联机结构，使得当组件尺寸日渐缩小的要求下，仍可保持组件的特性，并提升产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 高频 ic 导线 电感线圈 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成高频IC导线与电感线圈组件的方法，其特征是包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一组件层；及以光阻浮离制程以形成铜金属导线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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