[发明专利]闸流体的制作方法

摘要

一种制作闸流体(thyristor)的方法,本发明是先提供一半导体基底,且该半导体基底表面至少包含有一主动区域(activearea)以及一环绕该主动区域的浅沟隔离(STI),接着于该主动区域内形成一相邻接的N型井与P型井；随后再于该N型井与该P型井的交界处上方形成一虚置栅极(dummygate),并同时于半导体基底上形成其他MOS晶体管的栅极,且各该栅极周围皆形成有一侧壁子；最后进行一N离子以及一P离子植入制程,以于该浅沟隔离与该虚置栅极之间的该P型井以及该N型井中,分别形成该闸流体的阴极与阳极；本发明可避免漏电流增大以及元件提早崩溃的现象；另外闸流体的主动区域上自行对准罩幕(mask)制程的精确度较容易被达到。

主权项

1.一种制作闸流体的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：提供一半导体基底，且该半导体基底表面至少包含有一主动区域以及一环绕该主动区域的浅沟隔离；于该主动区域的半导体基底内形成一N型井以及一相邻接于该N型井的P型井；于该半导体基底表面依序形成一闸氧化层以及一多晶硅层；进行一黄光暨蚀刻制程(PEP)，蚀刻部分的该多晶硅层以及该闸氧化层，以于该N型井与该P型井的交界处上方形成一虚置栅极；于该虚置栅极的侧壁周围形成一侧壁子；形成一第一图案化光阻层，并暴露出该浅沟隔离与该虚置栅极之间的该P型井；进行一第一离子植入制程；去除该第一图案化光阻层；形成一第二图案化光阻层，并暴露出该浅沟隔离与该虚置栅极之间的该N型井；进行一第二离子植入制程；以及去除该第二图案化光阻层。