[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种包含存储单元的半导体装置，所述存储单元具有通过第1栅极绝缘层而形成在半导体基片上的字栅、杂质层和侧壁状的第1、第2控制栅极。通过所述杂质层而形成相邻的所述第1、第2控制栅极与共用接触部连接。共用接触部包括第1接触导电层、第2接触导电层及凸缘状的第3接触导电层。所述第3接触导电层被设置在所述第1接触导电层及所述第2接触导电层上。

主权项

1.一种半导体装置，该半导体装置包括通过将非易失性存储装置排列成具有多行及多列的栅格状而构成的存储单元列阵的存储区域，其特征在于：所述非易失性存储装置包括：通过第1栅极绝缘层形成在半导体层上方的字栅；形成在所述半导体层上的构成源极区域或漏极区域的杂质层；沿着所述字栅一方的侧面及另一方的侧面分别形成的侧壁状的第1及第2控制栅极，所述第1控制栅极通过第2栅极绝缘层被配置在所述半导体层上，并且通过侧绝缘层被配置在所述字栅上；所述第2控制栅极通过第2栅极绝缘层被配置在所述半导体层上，并且通过侧绝缘层被配置在所述字栅上；所述第1及第2控制栅分别在第1方向上被连续地配置，并且在与所述第1方向交叉的第2方向上，通过所述杂质层而形成相邻的第1及第2控制栅极与共用接触部连接，所述共用接触部包括第1接触导电层、第2接触导电层及凸缘状的第3接触导电层，所述第2接触导电层与所述第1及第2控制栅极连接，并且，被配置在所述第1接触导电层的内侧，所述第3接触导电层被配置在所述第1接触导电层及所述第2接触导电层上。