[发明专利]消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法

摘要

本发明一种消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法，包括如下步骤：详细布线：为制作超大规模集成电路的制作工艺作准备；寄生参数提取：分析耦合电容对芯片的影响；标准延迟文件产生：为了产生不含信号上升或下降的最小源电阻和最大源电阻的时间窗口文件；耦合电容串扰检查并产生修复文件；修复方式选择：根据修复文件中的数量，确定用手工修复还是返回到全局布线中修复；修复：在全局布线中，对受耦合电容串扰的连线进行修复；输出掩模板的数据格式，进行加工工艺。

主权项

1.一种消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1，详细布线：为制作超大规模集成电路的制作工艺作准备；步骤2，寄生参数提取：为了分析耦合电容对芯片的影响，将详细布线的版图数据提出全部耦合电容，对地电容及电阻的标准寄生参数交换文件；步骤3，标准延迟文件产生：为了产生不含信号上升或下降的最小源电阻和最大源电阻的“时间窗口”文件；步骤4，耦合电容串扰检查并产生修复文件；步骤5，修复方式选择：根据修复文件中所含必须修复的连线的数量，确定用手工修复还是返回到全局布线中修复；步骤6，修复：在全局布线中，对受耦合电容串扰的连线进行修复；步骤7，输出掩模版的数据格式：在完全清除了耦合电容造成的串扰后，将芯片的版图数据进行设计规则检查和版图对逻辑图一致性的检查无误后，输出掩模版数据格式，进行加工工艺。