[发明专利]半导体激光元件有效
| 申请号： | 02142273.7 | 申请日： | 2002-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1407677A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 藤本毅;室清文;小矶武 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 吴邦基 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗R21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1.半导体激光元件，在活性层的至少一侧设具有活性层禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层，在光波导层外侧设具有光波导层禁带宽度以上的禁带宽度的包层，在光波导层或光波导层和包层之间，设经选择成长埋入的、具有带状窗的折射率控制层的实际折射率波导型半导体激光元件中，其特征在于，对于埋入的折射率控制层设先行选择成长的半导体层，作为上述半导体层的材料，选择使得包含半导体层和折射率控制层的叠层部分中半导体层的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小那样的材料。
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