[发明专利]L型字线间隙壁的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 02142193.5 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1479365A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 谢佳达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种L型字线(Word Line)间隙壁的结构及其制造方法，此L型字线间隙壁应用于制造分离式栅极(Split Gate)的闪存(Flash Memory)中，利用L型字线间隙壁与双层介电质间隙壁形成于闪存结构的两侧，不仅可以控制L型字线间隙壁的信道长度(Channel Length)，而且在形成金属硅化层后，更提供栅极(Gate)与漏极(Drain)之间有良好的电性隔离，借此以制造尺寸更小且优良率更高的闪存器件。 | ||
| 搜索关键词： | 型字线 间隙 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种L型字线间隙壁的制造方法，其特征在于：至少包括：提供一衬底，其中该衬底上具有一预设结构在该衬底上；共形地形成一多晶硅层以覆盖该衬底与该预设结构，其中该多晶硅层具有一横向部分与一垂直部分；形成一第一介电质间隙壁于该多晶硅层的该横向部分上且贴于该多晶硅层的该垂直部分上；以该第一介电质间隙壁为一罩幕，进行一蚀刻步骤使该多晶硅层转变成该L型字线间隙壁，其中该L型字线间隙壁位于该预设结构的两侧，并暴露出部分的该衬底；形成一第二介电质间隙壁于该衬底上且贴于该第一介电质间隙壁与该L型字线间隙壁的两侧，并暴露出部分的该L型字线间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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