[发明专利]等离子处理方法和装置无效
| 申请号： | 02142185.4 | 申请日： | 2002-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1453831A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 小野哲郎;濑户口胜美;山本秀之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在使用等离子处理晶片的工艺中，不降低生产率而抑制每个晶片加工尺寸的变动且加工重复性良好的晶片。在真空处理室20内产生等离子体的同时，给配置晶片的下部电极27施加高频电压，在周期性接通·断开调制下部电极27上施加的高频电压，而且对处理的每个晶片或每次多个晶片控制高频电压接通·断开的占空比，对晶片32进行等离子处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种利用高频电压处理样品的等离子处理方法，其特征是：上述高频电压在一个周期内由多个时间分割的子区组成，各子区有不同的振幅，上述多个子区中至少一个区的施加功率可被独立控制，对上述样品的每个处理单位，控制上述至少一个子区的施加功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
