[发明专利]基极的结构及其制造方法

摘要

一种基极的结构及其制造方法。本发明的基极的结构至少包括多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层。而本发明的基极的制造方法至少包括：形成多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层覆盖基材上的纯氧化层；接着，进行氮化制程，藉以使多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层中具有氮离子；以及进行氧化制程，藉以将多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层中的部分氮离子趋入纯氧化层中等步骤。运用本发明的基极的结构及其制造方法，可避免基极介电层表面的结构由于进行等离子体氮化制程而遭受破坏，且可提高载子迁移率与驱动电流。

主权项

1.一种基极的制造方法，其特征在于，至少包括：提供一基材；形成一第一氧化层覆盖该基材；形成一多晶硅缓冲层覆盖该第一氧化层；进行一氮化制程，藉以使该多晶硅缓冲层中具有多个氮离子；形成一第二氧化层覆盖该多晶硅缓冲层，并将部分这些氮离子趋入该第一氧化层中，则具有部分这些氮离子的该第一氧化层即为一基极介电层；去除该第二氧化层；以及形成一多晶硅层覆盖该多晶硅缓冲层，则该多晶硅层与该多晶硅缓冲层共同组成一基极多晶硅层。