[发明专利]根据存取时的存储单元通过电流来读出数据的半导体存储器有效
| 申请号： | 02142120.X | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1423279A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 数据读出电路根据分别流过第1和第2节点的电流之差,生成读出数据。在数据读出工作时,利用电流传递电路和基准电流发生电路,分别在第1和第2节点中流过与选择存储单元的通过电流对应的存取电流和规定的基准电流。在测试模式中,电流切换电路在第1和第2节点中流过同一测试电流,来代替存取电流和基准电流。由此,可评价数据读出电路中的电流读出放大器的偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 根据 存取 存储 单元 通过 电流 读出 数据 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于，具备：多个存储单元，其存取时的通过电流随存储数据而变化；存取电流传递电路，用来在第1节点中流过与上述多个存储单元中的已被选择为存取对象的选择存储单元的上述通过电流对应的存取电流；基准电流生成电路，用来在数据读出时在第2节点中流过基准电流；电流比较电路，用来生成与分别流过上述第1和第2节点的电流之差对应的读出电压；以及测试电流供给电路，用来在测试模式中对上述第1和第2节点的至少一方供给来自外部的测试电流。
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