[发明专利]气化供给方法无效
| 申请号： | 02141995.7 | 申请日： | 2002-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1407604A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 高松勇吉;米山岳夫;岩田充弘;桐山晃二;长谷哲志;新家木一郎 | 申请（专利权）人： | 日本派欧尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种气化供给方法，是用液体流量控制器控制液体CVD原料的流量供给到气化器，气化后供给到半导体制造装置中的方法并联设置多个液体流量控制器，最好并联设置可控制的流量范围不同的两种以上液体流量控制器，在液体CVD原料的气化供给中，通过单独使用和同时使用多个液体流量控制器的变更和/或互相切换液体流量控制器来改变液体CVD原料的流量，供给到气化器。由于高精度地控制液体CVD原料的流量气化供给至半导体制造装置，可以得到膜厚精度极高的半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 气化 供给 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气化供给方法，是用液体流量控制器控制液体CVD原料的流量供给到气化器，气化后供给到半导体制造装置中的方法，其特征是对于同种类的液体CVD原料，并联设置多个液体流量控制器，在液体CVD原料的气化供给中，通过单独使用和同时使用多个液体流量控制器，及/或互相切换液体流量控制器来改变液体CVD原料的流量，供给到气化器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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