[发明专利]判定半导体制造工艺状态的方法和装置及半导体制造装置无效
| 申请号： | 02141414.9 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1479352A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 臼井建人;吉开元彦;吉田刚;山本秀之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用容器内发生的等离子体，蚀刻处理配置于该容器内，而其表面具有多层膜的半导体晶片的半导体制造装置中，在上述处理规定的期间，在显示部显示所得的上述晶片表面来的多种波长光的变化；以及根据显示的多种波长光的变化量，判定上述蚀刻处理的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 判定 半导体 制造 工艺 状态 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体制造装置，使用容器内发生的等离子，蚀刻处理配置于该容器内且表面上具有多层膜的半导体晶片，该半导体制造装置具备：显示部，用来显示来自上述蚀刻处理的规定期间内所得到的上述晶片表面的多种波长光的变化；以及根据该显示的多种波长光的变化量，判定上述蚀刻处理状态的判定单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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