[发明专利]应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺

摘要

一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其首先提供一基底，且基底上已形成有数个呈阵列排列的存储单元。接着，在基底上形成具有一第一线/间距图案的一负光阻层。继之，在负光阻层上形成具有一第二线/间距图案的一正光阻层。其中，负光阻层的第一线/间距图案与正光阻层第二线/间距图案的方向并不相同，且第一线/间距图案与该第二线/间距图案重叠后所共同暴露的一区域即为罩幕式只读存储器的一预定编码布植区。

主权项

1.一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，包括：提供一基底，该基底上已形成有呈阵列排列的多个存储单元；在该基底上形成一第一光阻层，覆盖该些存储单元；进行一第一曝光工艺以及一第一显影工艺，以定义该第一光阻层形成一第一线/间距图案；在该第一光阻层上形成一第二光阻层；以及进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以定义该第二光阻层形成一第二线/间距图案，其特征是，该第一线/间距图案与该第二线/间距图案的方向并不相同，且该第一线/间距图案与该第二线/间距图案重叠后所共同暴露的一区域即为该罩幕式只读存储器的一编码布植区。