[发明专利]自旋激励方法和磁共振成像系统无效

专利信息
申请号: 02141243.X 申请日: 2002-06-28
公开(公告)号: CN1394551A 公开(公告)日: 2003-02-05
发明(设计)人: 植竹望 申请(专利权)人: GE医疗系统环球技术有限公司
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055;G01R33/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳,梁永
地址: 美国威*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的是执行附有饱和的多层面成像,而与静态磁场强度的不均匀无关。测量每一层面处自旋的峰共振频率的误差。对中心频率与脂肪中的自旋的峰共振频率之间的水中的自旋的峰共振频率,从相对于中心频率的所有层面中的自旋的峰共振频率误差中提取最大值。以偏离中心频率而偏向水中自旋的峰共振频率的一个频率激励自旋,其中所述偏离的量等于将所述最大值加上由化学位移引起的峰共振频率的理论改变值得到的计算值。
搜索关键词: 自旋 激励 方法 磁共振 成像 系统
【主权项】:
1.一种自旋激励方法,用于通过饱和具有两个峰共振频率之一的自旋,而利用具有另一个峰共振频率的自旋,产生一个目标的多层面断层图像;在所述目标中,基于化学位移产生两种具有不同频率的磁共振信号;所述自旋激励方法包括以下步骤:在指定的多层面的每一层面处测量自旋的峰共振频率误差;从峰共振频率的误差中提取最大值,峰共振频率是在用于成像的自旋的峰共振频率与要被饱和的自旋的峰共振频率之间观察的;以及利用激励信号激励自旋,通过把上述最大值加在由化学位移引起的峰共振频率中的理论改变值上计算得到的值的当量,该激励信号的频率偏离用于成像的自旋的峰共振频率而偏向要被饱和的自旋的峰共振频率。
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