[发明专利]墨水槽成型技术无效
| 申请号： | 02140355.4 | 申请日： | 2002-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1468713A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡志昌;杨明勋 | 申请（专利权）人： | 飞赫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/16 | 分类号： | B41J2/16 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 台湾省300*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种墨水槽成型技术，先在一硅芯片表面上形成一第一喷砂保护膜，再在第一喷砂保护膜的预定墨水槽区域周围形成至少两道封闭型的渠沟。然后，对硅芯片表面进行第一次喷砂制造程序，以使渠沟下方的硅芯片形成一凹槽。接着，在硅芯片背面上形成一第二喷砂保护膜，并于第二喷砂保护膜的预定墨水槽区域内形成一开口。最后，对硅芯片背面进行第二次喷砂制造程序，以去除渠沟与开口之间的硅芯片，进而形成一底部尺寸较大、顶部尺寸较小的墨水槽。 | ||
| 搜索关键词： | 墨水 成型 技术 | ||
【主权项】：
1.一种墨水槽成型技术，其特征在于，包括下列步骤：提供一硅芯片，其表面包含有一第一预定墨水槽区域，且其背面包含有一第二预定墨水槽区域；在硅芯片表面的第一预定墨水槽区域内形成一凹槽；自所述硅芯片背面去除所述第二预定墨水槽区域内的部分，直至使所述第二预定墨水槽区域以及第一预定墨水槽区域连通，以形成一墨水槽。
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