[发明专利]半导体元件的短沟道晶体管的制造方法

摘要

一种半导体元件短沟道晶体管制造方法。衬底上形成第一氧化膜和氮化膜、第二氧化膜和氮化膜；第二氮化膜上形成第一掩模；用该掩模蚀刻第二氮化膜和氧化膜；除去该掩模；结果物上形成第一间隔层膜后蚀刻第一间隔层膜，第二氧化膜和氮化膜侧面形成第一间隔层，蚀刻时该间隔层作掩模蚀刻第一氧化膜；衬底上形成栅绝缘膜和栅极导体，第二氮化膜作CMP停止层，CMP形成栅极导体；湿式蚀刻第二氮化膜和氧化膜、第一氮化膜和间隔层；栅极导体为掩模，在衬底注入LDD；含LDD衬底形成第二间隔层膜后蚀刻该间隔层膜，栅极导体侧面形成第二间隔层；含该间隔层的栅极导体为掩模，在衬底注入源/漏形成源/漏区；除去第一氧化膜；栅极导体和源/漏区形成硅化物。

主权项

1.一种半导体元件的短沟道晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上顺序形成第一氧化膜、第一氮化膜、第二氧化膜和第二氮化膜；在所述第二氮化膜上形成预定形状的第一掩模；利用所述第一掩模蚀刻所述第二氮化膜和第二氧化膜；除去所述第一掩模；在所述结果物上形成第一间隔层膜之后，全面蚀刻所述第一间隔层膜，在所述残留的第二氧化膜和第二氮化膜的侧面形成第一间隔层的同时，在所述全面蚀刻时，将所述第一间隔层作为掩模蚀刻第一氧化膜；在所述结构上露出的所述半导体衬底上，顺序形成栅绝缘膜和栅极导体之后，将所述残留的第二氮化膜用作化学机械研磨(CMP)的停止层(StopLayer)，进行化学机械研磨，形成栅极导体；湿式蚀刻所述残留的第二氮化膜、第二氧化膜、第一氮化膜和第一间隔层；以所述栅极导体为掩模，在衬底的前面实施LDD注入，形成LDD；在包含所述LDD的衬底的前面形成第二间隔层膜之后，全面蚀刻所述第二间隔层膜，在栅极导体的侧面形成第二间隔层；以包含所述第二间隔层的栅极导体作为掩模，在衬底的前面实施源/漏注入，形成源/漏区；除去所述残留的第一氧化膜；在所述栅极导体和源/漏区形成硅化物。