[发明专利]铅酸蓄电池正极用板栅成膜工艺无效
| 申请号： | 02138247.6 | 申请日： | 2002-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1482700A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张绍辉;阎智刚;褚德威;陈怀林;祝士平 | 申请（专利权）人： | 江苏隆源双登电源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/73 | 分类号： | H01M4/73;H01M4/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 2255*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铅酸蓄电池正极用板栅成膜工艺，在铅合金板栅表面浸镀锡与铈后经高温热处理形成P型半导体氧化膜层。本发明形成的多元合金半导体膜层，使板栅耐腐蚀性增强、导电性增强、电化学稳定性增强，从而使铅酸蓄电池寿命明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 蓄电池 正极 用板栅成膜 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种铅酸蓄电池正极用板栅成膜工艺，其特征在于将铅合金板栅在硫酸铈与氯化锡组成的过饱和溶液中浸镀，表面形成锡铈合金涂层，再在50-80℃环境中进行热处理后形成半导体氧化膜层。
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