[发明专利]银栅线穿过TiOx层与Si欧姆接触的烧结工艺

摘要

本发明的目的是提供一种对TiOx的穿透烧结工艺，该烧结工艺步聚是：a、喷涂TiO_x膜；b、印刷背电极；c.、烘干背电极；d、印刷背电场；e、烘干背电场；f、制作栅电极；g、烧结；将已制作栅电极后的电池片，栅线向上置入红外加热、在快速升温、快速降温的链带式RTP烧结炉中进行烧结，RTP炉的第I、II、III、IV、V区均不加热，第VI区加热温度500℃，第VII区加热温度740℃－760℃(这与电池片的大小及同时烧结的电池片数量有关)，这种工艺的优点是大大提高了规模生产的效率，提高了产品的成品率，并且电池性能有所提高。

主权项

1，一种银栅线穿过TiOx层与Si欧姆接触的烧结工艺，其特征在于，该烧结工艺步聚是：a，喷涂TiOx膜：将已制备p-n结和四周经等离子刻蚀并清洗好的芯片置于315℃喷涂炉上，用钛基有机溶液均匀喷涂在已制作“表面织构”呈“金字塔”的Si片表面，直至表面颜色呈浅蓝色为止。b，印刷背电极：用Ag浆按背电极图形在未涂TiOx膜的Si片表面上进行丝网印刷。c，烘干背电级：将背电极印刷完成的Si片印刷面向上置入链带式烘干炉中，在110℃下烘干。d，印刷背电场：用Ag-Al浆按背电场图形在已印刷背电场的面上进行丝网印刷。e，烘干背电场：将背电场印刷完成的Si片印刷面向上置入链带式烘干炉中，在110℃下烘干。f，制作栅电极：用Ag浆按栅电极图形在涂TiOx膜的Si片面上进行丝网印刷。g，烧结：将已制作栅电极后的电池片，栅线向上置入红外加热、快速升温的链带式RTP烧结炉中进行烧结，RTP炉的第I、II、III、IV、V区均不加热，第VI区加热温度500℃，第VII区加热温度740℃-760℃。