[发明专利]无铝珠析出的硅太阳电池背场合金配方无效
| 申请号： | 02137582.8 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1492516A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴文斌;卢雅芳;汪乐;胡宏勋 | 申请（专利权）人： | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/02 |
| 代理公司： | 上海东亚专利代理有限公司 | 代理人： | 罗习群 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种合金成分的配方比例，使在全自动背电极、背场、栅极生产中，既能不出现铝珠，又能不减弱背反射作用，该合金成份根据电极基体材料的电阻率，选择合适的银浆与铝浆(12－15)∶(85－88)的比例，制备银铝浆。 | ||
| 搜索关键词： | 无铝珠 析出 太阳电池 合金 配方 | ||
【主权项】：
1，一种无铝珠析出的硅太阳电池背场合金配方，其特征在于：适用于丝网印刷的银浆与铝浆的比例为(12-15)∶(85-88)，在该区间根据电极基体材料的电阻率选择确定的比例数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
