[发明专利]利用氧化铝模板生长锗纳米线的方法无效
| 申请号： | 02136111.8 | 申请日： | 2002-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1391237A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄靖云;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;C22C1/00;C22C38/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的利用氧化铝模板生长锗纳米线的方法包括首先采用阳极氧化的方法制备纳米多孔氧化铝模板，模板上的纳米孔径的孔为六角柱形并与模板面垂直呈有序并行排列，然后在纳米多孔氧化铝模板的背面生长一层金膜作为催化剂，再把镀金的纳米多孔氧化铝模板放入化学气相沉积装置的生长室，以高纯锗烷为生长气源，氮气为保护气体，在500～800℃温度下反应生长锗纳米线。用本发明方法生长纳米锗线的直径和长度可控，并可以得到阵列化的纳米锗线。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化铝 模板 生长 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.利用氧化铝模板生长锗纳米线的方法，其特征是它包括首先采用阳极氧化的方法制备纳米多孔氧化铝模板，模板上的纳米孔径的孔为六角柱形并与模板面垂直呈有序并行排列，然后在纳米多孔氧化铝模板的背面生长一层金膜作为催化剂，再把镀金的纳米多孔氧化铝模板放入化学气相沉积装置的生长室，以高纯锗烷为生长气源，在500～800℃温度下反应生长锗纳米线。
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