[发明专利]倒扣封装背照式光电探测器芯片制作方法无效
| 申请号： | 02133928.7 | 申请日： | 2002-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1492517A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 朱华海 | 申请（专利权）人： | 重庆科业光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L27/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒扣封装背照式的长波InGaAs/InP光电探测器芯片的制作方法，其特征在于：光电探测器芯片的衬底电极不在芯片外延层的表面，而是通过光刻工艺，腐蚀掉外延层后与芯片衬底连接，形成低接触电阻的欧姆接触。与现有的光电探测器相比，既减小了器件的结电容和内引线的分布电容，又降低了光电探测的串联电阻，从而提高了光电探测器的频率响应特性，使之特别适合于高速应用。 | ||
| 搜索关键词： | 倒扣 封装 背照式 光电 探测器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
本发明公开了一种倒扣封装背照式长波InGaAs/InP光电探测器芯片的制作方法，其特征在于：光电探测器芯片的衬底电极不是制作在芯片外延层的表面，而是通过光刻工艺，腐蚀掉外延层后与芯片衬底连接，形成低接触电阻的欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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