[发明专利]氮化物半导体光发射装置及其制造方法有效
| 申请号： | 02132088.8 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1407637A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 幡俊雄;笔田麻佑子;木村大觉 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光发射装置，该装置包括在Si衬底上从Si衬底起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层。部分地除去所述Si衬底，以露出p型氮化物半导体层的一部分。在p型氮化物半导体层露出的区域上形成p型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体光发射装置，该装置包括：在硅衬底上从硅衬底起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层，其中Si衬底被部分地去掉，暴露出p型氮化物半导体层的一部分，在p型氮化物半导体层的暴露的区域上形成p型电极。
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