[发明专利]ZnMgSSe系正－本－负光电二极管以及ZnMgSSe系雪崩二极管

摘要

本发明提供一种在蓝～紫～近紫外区有灵敏度，暗电流低，可靠性高的pin光电二极管和雪崩光电二极管。pin光电二极管的结构是：n型ZnSe单晶基板；在其上直接或在ZnSe基板上形成n型ZnSe缓冲层上进行外延生长的n型ZnMgSSe层；i型ZnMgSSe层；p型ZnMgSSe层；p型超晶格结构层；p型ZnTe层和p电极；n型ZnSe单晶基板上形成的n电极。以及，雪崩光电二极管，其结构是，在n型ZnSe基板上外延生长的n型ZnSe缓冲层、n型ZnMgSSe层、p型ZnMgSSe层、p型ZnSe/ZnTe超晶格层、p型ZnTe层、在p型ZnTe层侧安上p金属电极、在n型ZnSe基板上安上n电极，把p侧细、而n型基板侧粗的侧面端面进行台面蚀刻，用绝缘体层被覆侧面端面。

主权项

1.一种ZnMgSSe系pin光电二极管，其特征在于，该二极管的结构是：n型单晶ZnSe基板；在该n型单晶ZnSe基板上进行外延生长的n型Zn1-xMgxSySe1-y层(0≤×≤0.8，0≤y≤0.8)；n型Zn1-xMgxSySe1-y层上生长的i型Zn1-xMgxSySe1-y层；i型Zn1-xMgxSySe1-y层上生长的，具有与i型Zn1-xMgxSySe1-y层相同或其上具有能带宽度的p型Zn1-xMgxSySe1-y层；使p型ZnSe和p型ZnTe层压的能带宽度连续变化的超晶格层；在超晶格层上生长的p型ZnTe层；在p型ZnTe层上形成的p金属电极；在n型ZnSe基板的底面上形成的n金属电极。