[发明专利]液晶显示器及周边电路结构及其制造方法

摘要

一种液晶显示器及周边电路结构及其制造方法，该方法为制造多晶硅液晶显示器，包含p型薄膜晶体管TFT(不含LDD；浅掺杂漏极)及n型TFT的驱动电路(含LDD)及像素TFT与储存电容及像素电容底部电极的制造方法；其特别之处是将透明导电层先形成于基板上，再进行源极/漏极及栅极、电容等制程；本发明简化了TFT制程步骤，仅需约五道光罩即可同时进行TFT－LCD包含驱动电路同时制造的制程步骤，降低了液晶显示器的制造成本。

主权项

1.一种制造液晶显示器的一像素包含有像素薄膜晶体管(TFT)与包含有n型TFT及p型TFT的驱动电路部分的方法，其特征是：该方法至少包含以下步骤：由下而上依序形成一透明导电层、一第一金属层及一n型重掺杂多晶硅层于一透明基板上；图案化该n型重掺杂多晶硅层、该第一金属层及该透明导电层，用以在驱动电路区形成该n型TFT的源极/漏极预定区、该p型TFT的源极预定区及在像素区形成该像素TFT的源极/漏极预定区、像素电容预定区及储存电容的预定区；依序全面形成一活性层及一栅极氧化层于图案化后的表面上；图案化该栅极氧化层、及该活性层，以分别形成第一保留区于该n型TFT的源极/漏极之间并覆盖部分源极/漏极区、第二保留区于该n型TFT漏极区与n型TFT的源极区之间并覆盖部分p型TFT的源极及n型TFT漏极、第三保留区于该像素TFT的源极/漏极区之间并覆盖部分源极/漏极区、及一储存电容介电层在该储存电容预定区；全面形成栅极金属层于上述图案化后的表面上；图案化该栅极金属层，用以在该驱动电路区形成该n型TFT的栅极、该p型TFT的栅极、并在该像素区形成像素TFT的栅极及该储存电容的顶部电极，此外在该n型TFT的栅极两侧保留轻掺杂漏极(LDD)预定区于该第一保留区上、在p型TFT栅极两侧各保留一源极/漏极预定区于该第二保留区上、及在该像素TFT的栅极两侧各保留LDD预定区于该第三保留区上；以该图案化的栅极金属层为罩幕，植入n型杂质于所有裸露的表面，用以在该活性层形成该像素TFT的LDD区及该n型TFT的LDD区；形成第一光阻图案以覆盖所有区域，该第一光阻图案开口裸露该第二保留区；植入p型杂质，植入剂量高于该n型杂质的剂量，以该第一光阻图案及p型TFT栅极为罩幕，以使得该p型TFT的源极/漏极预定区经电性补偿后仅含有足够成为源极/漏极的p型杂质；移除该第一光阻图案；全面形成一护层于该裸露的表面上；图案化该护层，用以移除该像素电容预定区上的护层，于该驱动电路区及该像素区端部形成接触洞；图案化该像素电容预定区的该金属层，以裸露该像素电容区的透明导电电极。