[发明专利]具有高精度的数据读出结构的薄膜磁体存储装置

摘要

在数据读出时，被选择的存储单元(MC)及比较单元(MC#)通过互补的第1及第2位线(BL，/BL)，分别与互补的第1及第2数据线(DIO，/DIO)连接。差动放大器(60)向互补的第1及第2数据总线(DB，/DB)提供存储单元(MC)及比较单元(MC#)的通过电流，同时对与存储单元(MC)及比较单元(MC#)的电阻差对应产生的第1及第2数据总线(DB，/DB)的通过电流差进行放大，在第1及第2节点(No，/No)之间产生具有与选择存储单元的存储数据的电平对应的极性的电压差(ΔV)。

主权项

1.一种薄膜磁体存储装置，配有：多个存储单元，其各自具有与被磁写入的存储数据对应的电阻；互补的第1及第2数据线；差动放大部，其用于实施与上述第1及第2数据线的通过电流差对应的数据读出，在数据读出时，上述第1及第2数据线中的每一方分别通过上述多个存储单元中的选择存储单元及作为上述选择存储单元的比较对象被设置的比较单元来与固定电压电耦合，其中上述差动放大部，包括：电流供应电路，其被设置在电源电压与第1及第2节点之间，用于至少在上述数据读出时向上述第1及第2节点提供同一动作电流；电流放大电路，其使上述第1及第2节点与上述第1及第2数据线之间电耦合，同时为把上述各第1及第2数据线维持在基准电压以下的规定电压，而把上述第1及第2数据线之间产生的通过电流差转换成上述第1及第2节点的电压差。