[发明专利]端面反射型表面波滤波器有效
申请号: | 02131508.6 | 申请日: | 2002-08-14 |
公开(公告)号: | CN1402427A | 公开(公告)日: | 2003-03-12 |
发明(设计)人: | 门田道雄;堀内秀哉;吾乡纯也;中尾武志;仓谷康浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种不会导致插入损失恶化、可扩大频带外衰减量的端面反射型表面波滤波器。一种利用SH型表面波的纵向耦合谐振器型表面波滤波器1,在压电基片2的上表面2a中,隔开预定距离彼此平行地形成第1、第2沟2b、2c,在沟2b、2c之间形成用于构成纵向耦合谐振器型表面波滤波器的IDT5、6,形成第1、第2沟2b、2c的IDT的侧的侧面2b1、2c1构成反射面,在压电基片2的上表面2a中,(a)形成树脂覆盖层3,以便覆盖至少形成IDT5、6的区域和第1、第2沟2b、2c的至少其中之一,且进入一个沟2b中,或者(b)形成SiO2膜制成的保护层,以便覆盖IDT5、6。 | ||
搜索关键词: | 端面 反射 表面波 滤波器 | ||
【主权项】:
1.一种端面反射型表面波滤波器,配备:压电基片,有相隔预定距离平行配置的第1、第2反射端面、上表面、下表面和从上述第1、第2反射端面的下端向外侧延伸的第1、第2压电基片部分,由第1、第2反射端面和第1、第2压电基片部分形成分别向第1、第2沟或外侧开口的第1、第2凹部,和在上述压电基片上表面的上述第1、第2沟或凹部间的区域中形成的多个叉指型转换器,还配备树脂覆盖层,设置成覆盖形成上述压电基片上表面的至少上述叉指型转换器和第1、第2沟或凹部的区域,并且由有柔软性的树脂制成,在第1、第2沟或凹部的至少其中之一中,上述树脂覆盖层部分地进入沟或凹部。
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