[发明专利]利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器有效
| 申请号： | 02130529.3 | 申请日： | 2002-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1476017A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡宏平;许佑铭 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器，该存储器包括有多个记忆单元、一检测负载单元、一基准负载单元、一控制电路及一比较器。其中各记忆单元可存储一位数据并根据该位数据提供一驱动电流；检测负载单元可根据该驱动电流及一驱动电压而产生一检测电压，基准负载单元则能根据该驱动电压而产生一基准电压。而控制电路则能控制该驱动电压的大小，以驱动该检测负载单元或该基准负载单元而将该检测电压或该基准电压维持于一定值，不随该驱动电流改变而改变。而该比较器则可比较该检测电压及该基准电压的大小，并据此判断记忆单元中存储的位数据。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 栅极 驱动 负载 晶体管 读取 数据 快速 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其包含有：至少一记忆单元，各记忆单元用于存储一位数据，并可根据该位数据提供一驱动电流，使得当该记忆单元存储的位数据改变时，该记忆单元提供的驱动电流大小也随之改变；一检测负载单元，用于接收一记忆单元提供的驱动电流及一第一驱动电压，并根据该驱动电流及该第一驱动电压的大小而输出一检测电压，使得当该驱动电流或该第一驱动电压改变时，该检测电压也会随之改变；一基准负载单元，用于接收一第二驱动电压，并根据该第二驱动电压的大小产生一基准电压；一控制电路，用于改变该第一驱动电压的大小，使得当该驱动电流的大小改变时，该检测电压得以维持不变，而该控制电路另可根据该第一驱动电压产生该第二驱动电压，使得当该第一驱动电压改变时，该第二驱动电压也随之改变；以及一比较器，用于根据该检测电压及该基准电压的差异，判断该记忆单元中存储的位数据。
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