[发明专利]高密度电浆氧化沉积物的去除方法无效
| 申请号： | 02130423.8 | 申请日： | 2002-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1477683A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李宏文;吴敬斌;张汉茂;马嘉淇;连楠梓;刘信成 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/31;H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;楼仙英 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高密度电浆氧化沉积物的去除方法，其中，提供一基板并形成氮化硅层于其上，且以高密度电浆法(HDP)沉积氧化硅层于氮化硅层上，此去除方法包括步骤：(1)以内至外模式(in－side－out model)对氧化硅层进行蚀刻，基板中心的蚀刻速率比周边的蚀刻速率快；(2)以外至内模式(out－side－inmodel)对氧化硅层进行蚀刻，基板周边的蚀刻速率比中心的蚀刻速率快；及(3)以化学机械研磨法(CMP)移除残余的氧化硅层。本发明的两步骤回蚀可使残余的高密度电浆氧化物具有较佳的均匀度，且可完全地被平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 氧化 沉积物 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度电浆氧化沉积物的去除方法，其特征在于，提供一基板(substrate)并形成一氮化硅层(silicon nitrate layer)于其上，且以高密度电浆法(high density plasma，HDP)沉积-氧化硅层(silicon oxide layer)于该氮化硅层上，该去除方法包括以下步骤：以内至外模式(in-side-out model)对氧化硅层进行蚀刻，该基板中心的蚀刻速率比周边的蚀刻速率快；以外至内模式(out-side-in model)蚀刻对氧化硅层进行蚀刻，该基板周边的蚀刻速率比中心的蚀刻速率快；及移除残余的该氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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