[发明专利]利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置无效
申请号: | 02130235.9 | 申请日: | 1996-06-21 |
公开(公告)号: | CN1405857A | 公开(公告)日: | 2003-03-26 |
发明(设计)人: | E·H·伦茨;R·D·迪布尔 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 等离子体蚀刻装置包括一叠彼此隔开并在它们之间形成狭缝的石英圆环,放在包围所述装置的两个电极之间的、所述装置运行时其中形成等离子体的互作用空间的位置上。狭缝的尺寸选择得能够保证从互作用空间离开的用过的气体离开狭缝时,通过与壁部的碰撞将其中的带电粒子中和。采用两个频率不同的电压源,以彼此隔离的方式给所述电极施加电压。 | ||
搜索关键词: | 利用 等离子体 约束 装置 蚀刻 | ||
【主权项】:
1.等离子体蚀刻装置,包括:用于蚀刻工件的气态介质的外壳;一对平行的电极,在它们之间限定了互作用空间,其中,当提供在两电极之间建立放电以使气态介质电离的射频能量时,产生能蚀刻支持在一个电极上的工件的等离子体;以及至少一个约束圆环,包围所述互作用空间,该至少一个约束圆环有上表面和下表面,并放置得使它限定多个狭缝,以便控制用过的气体的排出并且当带电粒子退出互作用空间时将它们中和,从而将放电基本上约束在互作用空间以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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