[发明专利]非易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 02129632.4 | 申请日： | 2002-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1419291A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 丹沢徹;渥美滋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 作为非易失性半导体存储器的第1地址，分配第1列地址。此外，作为比上述第1地址更往高位的第2地址，分配第1行地址。此外，作为比上述第2地址更往高位的第3地址，分配块地址。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，包括：多个非易失性存储单元；分别连接到上述多个非易失性存储单元上的多条字线和多条位线；作为第1地址输入第1列地址，作为比上述第1地址更往高位的第2地址输入第1行地址，作为比上述第2地址更往高位的第3地址，输入第2列地址的地址缓冲器；和其构成为被供给上述地址缓冲器的输出信号，选择上述多个非易失性存储单元之内的一个的译码器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
