[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 02128550.0 申请日: 2002-08-09
公开(公告)号: CN1426106A 公开(公告)日: 2003-06-25
发明(设计)人: 富田和朗 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L29/78;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/768
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰,王忠忠
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的课题是能得到使存储单元或逻辑电路的外围电路部的平面尺寸小型化、降低了布线电阻、进而确保了层间绝缘膜上的布线的布局的自由度的半导体装置。解决方法是具备:在半导体衬底(1)上形成的晶体管中包含的有源区(8);在半导体衬底上形成的布线(54);覆盖有源区(4)和布线(54)的层间绝缘膜(9);以及栓布线(15、15a),贯通层间绝缘膜,在平面上看具有与布线和有源区这两者重叠的形状,该栓布线导电性地连接了布线与有源区。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于具备:在半导体衬底上形成的晶体管中包含的有源区;在上述半导体衬底上形成的布线;覆盖上述有源区和上述布线的层间绝缘膜;以及栓布线,贯通上述层间绝缘膜,在平面上看具有与上述布线和上述有源区这两者重叠的形状,该栓布线导电性地连接了上述布线与上述有源区。
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